SKハイニックス、世界最高の238段NAND型フラッシュメモリー開発

　SKハイニックスは3日、世界最高となる238段NAND型フラッシュメモリーの開発に成功したと発表した。NAND型フラッシュメモリーはスマートフォンやパソコンなど電子機器に搭載されるデータ保存用の半導体で、データ保存空間を高層住宅のようにいかに多く積み上げるかが技術力の指標となる。これまで最高だったのは、米マイクロンが先月量産を始めた232段だった。

　SKハイニックスは同日、米カリフォルニア州サンタクララで開幕した「フラッシュメモリーサミット2022」で新製品を公開した。イベントの基調演説を行った崔正達（チェ・ジョンダル）副社長（NAND開発担当）は「今回の238段はコスト、性能、品質の面で世界トップクラスの競争力を備えている」と述べた。

　NAND型フラッシュメモリー世界3位のSKハイニックスは2020年12月、176段製品を開発し、その1年8カ月後に後継製品である238段製品を発表した。同社は「最近サンプルを顧客に送り、来年上半期にも量産に入る計画だ」とし、「今回の238段製品は段数が最高でありながら、世界最小サイズの製品が実現され、従来製品（176段）と比べ生産性が34％改善された」と説明した。

朴淳燦（パク・スンチャン）記者