懲役7年の実刑判決、中国に半導体核心技術を流出させたサムスン電子元部長を法廷拘束

　国家核心技術に該当する半導体工程情報などを中国企業に流出させたとして起訴されたサムスン電子元部長に懲役7年の判決が言い渡され、法廷拘束された。これは、技術流出犯罪に対する地裁判決のうち、これまでで最も重い量刑だ。

　ソウル中央地裁刑事合議第25部（裁判長：池貴然〈チ・グィヨン〉部長判事）は19日、産業技術保護法違反・不正競争防止法違反などで起訴された元部長に懲役7年を言い渡し、法廷拘束した。

　池貴然裁判長は判決で、「国家核心技術に該当するサムスン電子の18ナノDRAM工程情報を不正に取得し、これを公開・漏えい・使用するまでに至ったという公訴事実は相当部分有罪と認められる」と述べた。

　その上で、「このような犯行は関連分野の健全な競争と取引秩序を深刻に阻害し、大韓民国国家産業競争力に悪影響を及ぼす重大犯罪であるため、損失は少なくない」「特に、サムスン電子が18ナノDRAM製品の開発と量産に成功するまでかけた費用を考慮すると、サムスン電子が受けた被害規模は莫大な金額に達することが容易に分かる」と判決理由を説明した。

　元部長はサムスン電子の18ナノDRAM半導体工程情報を無断で流出させ、中国半導体メーカーのチャンシン・メモリー・テクノロジーズ（CXMT）の製品開発に利用させたとして起訴された。CXMTは中国唯一のDRAMメーカーだ。検察はCXMTが元部長を通じて不正に取得したサムスン電子の情報を利用し、技術の壁を乗り越えたと判断した。

　検察は、元部長が2016年にCXMTに転職した際、半導体の核心情報を流出させ、数百億ウォン（数十億円）台の金品を授受したとしている。また、高額の年俸を提示し、サムスン電子と関連企業の人材約20人を奪ったとのことだ。

キム・ミンソ記者