【ソウル聯合ニュース】韓国のソウル中央地検は２３日、中国の半導体会社に国内企業の中核技術を流出させたとして、サムスン電子の元幹部ら５人を不正競争防止法違反や産業技術保護法違反の罪で起訴したと明らかにした。
中国の半導体大手、長鑫存儲技術（ＣＸＭＴ）の社員５人も同罪で在宅起訴した。
検察によると、ＣＸＭＴは２０１６年の設立後、サムスン電子の元部長を開発室長に起用した。元部長はサムスン電子独自の技術だった１０ナノ（ナノは１０億分の１）台のＤＲＡＭ（半導体メモリー）工程技術を入手するため、サムスン電子の中核人材のヘッドハンティングに乗り出した。サムスン電子の研究員はＤＲＡＭ工程の重要情報を持ち出してＣＸＭＴに転職。ＣＸＭＴは当時、世界唯一の技術だった１０ナノ台ＤＲＡＭ工程技術を確保した。
ソウル中央地検のパク・ソンヒョン検事は記者会見で、「６００ほどの工程をノートに書き写して持ち出した」として、「退社前からＣＸＭＴと取引をし、計画的に技術を持ち出したとみられる」と述べた。
ＣＸＭＴはサムスン電子の社員を追加でヘッドハンティングし、本格的なＤＲＡＭ開発に着手した。協力企業を通じ、韓国の半導体大手・ＳＫハイニックスの半導体工程関連技術も確保した。
韓国企業の半導体技術を入手したＣＸＭＴは２０２３年、中国初で世界で４番目に１０ナノ台ＤＲＡＭの量産に成功した。
検察によると、世界市場のシェア変化に基づいて推定したサムスン電子の２０２４年の売上高の減少額は５兆ウォン（約５２００億円）に達し、今後の韓国の半導体企業に与える影響を合わせると、被害額は少なくとも数十兆ウォンに上ると推定している。