竜仁・清州に半導体工場を追加建設…SKハイニックス、54兆ウォンの投資確定

　SKハイニックスが竜仁と清州に新規の半導体生産施設を建設するため総額54兆ウォン（現在のレートで約6兆円。以下同じ）を投資する。

【図】グローバル半導体市場シェア

　SKハイニックスは7日、取締役会を開き、竜仁半導体クラスターの2番目のファブ（Fab・半導体生産工場）である「Y2」に35兆2000億ウォン（約3兆9400億円）、清州「M17」に19兆1000億ウォン（約2兆1400億円）をそれぞれ投資すると決定したことを明らかにした。

　今回の投資は、「湖南半導体クラスター」を含め、今年6月に発表した中長期投資計画の一部を具体化した後続措置だ。

　Y2は延べ面積34万1000坪（約112万7000平方メートル）規模で来年7月に着工し、2029年6月に最初のクリーンルーム（ほこりや汚染を極度に抑えて、超微細回路を安全に作ることができるようにした空間）を開設する予定だ。

　HBM（広帯域幅メモリー）をはじめとする次世代DRAMを生産する。

　投資期間は2031年10月までだ。

　投資額には支援棟や研究開発統合センター、水処理・変電施設など付帯施設の建設費用も含まれた。

　SKハイニックスは現在、竜仁で最初のファブである「Y1」を建設している。

　来年2月の最初のクリーンルーム稼働が目標だ。

　同社は2045年としていた竜仁半導体クラスターのファブ4カ所の建設完了時期を、2033年へと12年前倒しすることにした。

　清州M17は延べ面積20万6000坪規模のNANDフラッシュ生産施設だ。

　来年2月に着工し、2028年12月に最初のクリーンルームを開設する予定だ。

　投資期間は2031年4月まで。

　清州には既にNAND生産施設が存在しており（M11・M12・M15）、敷地や電力・用水インフラもかなりの部分が確保されている。

　SKハイニックスはクリーンルームの増設と生産設備の投入をメモリーの需要に合わせて段階的に進め、投資の効率性を高める方針だ。