▲SKハイニックスが開発した176段NAND型フラッシュメモリー／同社提供
韓国企業が市場の半分以上を占めているNAND型フラッシュメモリー市場で、米日の企業が先端技術と大規模投資を通じ、サムスン電子とSKハイニックスの追い越しにかかった。80兆ウォン規模とされる市場での影響力をさらに高める狙いだ。油断している間に韓国企業が圧倒的優位を保とうとする「超格差」戦略が揺らぎかねないと懸念されている。
米マイクロンは最近開かれた投資家イベントで、世界で初めて232段NAND型..
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▲SKハイニックスが開発した176段NAND型フラッシュメモリー／同社提供
韓国企業が市場の半分以上を占めているNAND型フラッシュメモリー市場で、米日の企業が先端技術と大規模投資を通じ、サムスン電子とSKハイニックスの追い越しにかかった。80兆ウォン規模とされる市場での影響力をさらに高める狙いだ。油断している間に韓国企業が圧倒的優位を保とうとする「超格差」戦略が揺らぎかねないと懸念されている。
米マイクロンは最近開かれた投資家イベントで、世界で初めて232段NAND型フラッシュメモリーを年内に量産すると発表した。232段は業界で誰もなし得なかった高積層技術で、同社は独自技術を活用し、2つのNAND型フラッシュメモリーをつなぐダブルスタック工程を採用するという。
NAND型フラッシュメモリーは、電源が入っていなくても情報を保存できるメモリーで、半導体を幾重にも積み上げる「積層」競争が盛んだ。メモリーセルを高く積み上げる「積層」は段数が増えるほど、単位面積当たりの生産性が高くなり、同じチップ面積にさらに多くのデータを保存することができる。敷地面積が同じでも低い建物と高い建物では延べ床面積に相当な差が出るのと同じだ。
それに先立つ2020年、マイクロンは業界で初めて176段NAND型フラッシュメモリーを開発したと発表し、業界を驚かせた。当時NAND型フラッシュメモリーの最高段数は、業界首位のサムスン電子と4位のSKハイニックスが量産していた128段だったからだ。マイクロンが232段NAND型フラッシュメモリーの量産に成功すれば、サムスン電子とSKハイニックスは高積層技術によるNAND型フラッシュメモリー量産の栄光をマイクロンに明け渡すことになる。
サムスン電子とSKハイニックスはいずれもマイクロンに技術的に追い越されたことについて、「それほど気にしていない。我々も既に確保している技術だ」という立場だったが、内部ではかなりの危機感を感じたとされる。ライバル企業との超格差が今後数年間は続くとみていたからだ。両社はその後、業績発表などでそれぞれマイクロンの技術に匹敵する新技術を披露した。
インテルのNAND部門を買収したSKハイニックスに押され、業界3位に後退した日本のキオクシアは、数十兆ウォンを投資し、生産能力の拡充に取り組んでいる。社会の全分野で半導体の使用が増加し、それと共にメモリー半導体の需要が急増していることを受け、生産能力の増強でシェアを高める狙いだ。先端技術の先取りも重要だが、販売量が多く、収益性が最も高い部門は中間技術であるだけに、その方面で競争力をさらに強化するのがキオクシアの戦略だ。
キオキシアは、米ウエスタンデジタルと共同で岩手県に面積3万1000平方メートル、1兆円規模のNAND型フラッシュメモリー新工場を建設する。来月耐震施設の建設を始め、来年完成を目指している。日本政府も同工場に対し、6000億円規模で創設される産業基金による支援を行うと表明した。
これに先立ち、キオクシアは先月、ウエスタンデジタルと共同で1兆円を投資した三重県四日市工場の新生産ラインを完成させた。ここでは112段、162段のNAND型フラッシュメモリーが今年第3四半期から生産される予定だ。
米国と日本が先端技術開発と投資に力を入れ、韓国企業との心理的格差はかなり縮まっている状態だ。特にメモリー半導体の製造難度が高まり、既に相当な技術水準を積み上げた韓国企業は成長ペースは遅くなり、それに追随する米日企業の技術水準は急速に改善されている。業界関係者は「米国と日本が韓国に追いつかれ逆転されたように、サムスン電子とSKハイニックスなど韓国企業と米日の格差は近く狭まる可能性がある」と指摘した。
NAND型フラッシュメモリー市場の昨年第4四半期時点のシェアを見ると、サムスン電子が33.1％で首位、ソリダイム（旧インテルNAND部門）を買収したSKハイニックスが合計で19.5％を占め2位。以下、キオクシアが19.2％、ウエスタンデジタルが14.2％、マイクロンが10.2％となっている。サムスン電子は圧倒的首位だが、前四半期（21年第3四半期）に比べ、シェアが1.4ポイント低下した。SKハイニックスは、シェアが前四半期に比べ0.6ポイント上昇したが、ソリダイムは0.5ポイント低下した。この間、他社のシェアは小幅ながら上昇した。
ただ、韓国企業もただやられているわけではない。サムスン電子フラッシュメモリー開発室長のソン・ジェヒョク副社長は「サムスン電子は200段を超える第8世代の次世代NAND動作チップを確保し、市場の状況と顧客の要求に応じてタイムリーに製品を発表するために万全の準備を整えている」とし、「サムスン電子は一度に100段以上を積み上げ、10億個を超える穴を開けることができる『シングルスタックエッチング』技術を持つ唯一の企業で、高さの物理的限界を克服し、最先端に向かう技術リーダーシップを確保している」と強調した。
SKハイニックスの盧鐘元（ノ・ジョンウォン）事業総括社長は「昨年末量産を始めた176段NAND型フラッシュメモリーは現在、収率（欠陥のない合格品の比率）改善と同時に販売割合が拡大している」とし、「次世代製品である238段の開発も順調に進んでいる」と説明した。
業界はNAND技術が必ずしも「積層」だけに左右されるわけではないと指摘する。「どれだけ積むのか」と同様に「どのように積むのか」も重要だということだ。業界関係者は「積層技術はどのように積み上げるかによって生産効率や原価競争力にかなりの差が生じる」とし、「米マイクロンは最近数年間、先行する技術力を強調し、誰よりも先に量産するということを戦略としてきたため、たとえ量産が遅れたからといって実際の市場で影響力が低下という予測はうかつではないか」と話した。
パク・チンウ記者
朝鮮日報／朝鮮日報日本語版
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