中国企業に半導体技術を漏えい　サムスン・ハイニックス元役員を保釈　ソウル中央地裁【独自】

　サムスン電子が4兆ウォン（約4240億円）をかけて独自開発したDRAM工程技術を中国に漏えいしたとして起訴されたサムスン電子とハイニックス半導体（現SKハイニックス）の元役員チェ・ジンソク被告が一審のソウル中央地裁の保釈決定で釈放されたことがこのほど判明した。

【表】韓国の大学生が就職したい企業ランキング…SKハイニックスとサムスンは何位？

　同地裁は9月15日、チェ被告の保釈を許可した。チェ被告は産業技術の流出防止および保護に関する法律違反などの罪で昨年9月に起訴され、今年3月にも追起訴された。刑事訴訟法は一審の勾留期限は6カ月となっており、拘留期限満了前に裁判所が職権で保釈を許可したものだ。

　チェ被告と共に起訴されたサムスン電子の元首席研究員O被告は8月28日に保釈された。O被告は8月21日に保釈を申請し、裁判所が認めた。

　2人の保釈条件は保証金1億ウォン、住居制限などだ。また、裁判所には決められた日時、場所に出頭しなければならず、出国時には裁判所の許可を受けなければならないほか、逃亡または証拠を隠滅する行為をしてはならない。共犯など事件関係者との接触も禁止され、リアルタイムで位置を追跡できる電子装置も装着している。

　被告らが漏えいしたDRAM工程技術は、サムスン電子が開発した国家重要技術。検察によると、チェ被告は犯行の見返りとして、中国の半導体メーカーの株式860億ウォン相当を受け取り、報酬名目で18億ウォンの犯罪収益を得ていた。チェ被告がO被告と共同で経営していた中国の半導体メーカー、成都高真科技（CHJS）も法人として起訴されている。

イ・ソンモク記者